P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI1405DL is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI1405DL  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 45mΩ at V_GS = -10V  
  - 55mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 11nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
- The SI1405DL is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching and DC-DC conversion.  
- The PowerPAK® SO-8 package provides improved thermal performance and power dissipation compared to standard SO-8 packages.  

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Optimized for high-frequency switching applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Enhanced thermal performance due to PowerPAK® package.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET