SI1400DL-T1-E3

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET The **SI1400DL-T1-E3** is a P-Channel MOSFET manufactured by **VISHAY**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(ON) (Max):** 45mΩ at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V (typical)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-efficiency power management** in applications such as DC-DC converters, load switching, and battery protection.  
- Features **low on-resistance (R_DS(ON))** for reduced conduction losses.  
- **Optimized for low-voltage drive** (as low as -4.5V).  

### **Features:**
- **Low gate charge** for fast switching performance.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **PowerPAK® SO-8 package** offers improved thermal performance and compact footprint.  

This MOSFET is commonly used in **portable electronics, power supplies, and motor control circuits**.  

(Data sourced from official VISHAY documentation.)

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET