P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The part **SI1307EDL** is manufactured by **Vishay**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI1307EDL  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.8 A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10 V:** 0.042 Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The **SI1307EDL** is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance (R_DS(ON)) and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- AEC-Q101 qualified for automotive applications  

This information is based solely on the manufacturer's provided data for the **SI1307EDL** from Vishay.

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET