P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The part **SI1307DL** is manufactured by **Vishay**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI1307DL  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.5 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 25 A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.035 Ω (max) at VGS = 10 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1 V (min) to 2.5 V (max)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The **SI1307DL** is a **N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and battery management systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency applications.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Provides better thermal performance and space-saving benefits.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and product documentation.

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET