**Part Number:** SI1070X-T1-GE3  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **R_DS(ON) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Automotive Grade:** AEC-Q101 qualified for automotive applications.  
- **Applications:** DC-DC converters, motor control, load switching, and power management in automotive and industrial systems.  

(Data sourced from Vishay's official documentation.)