N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET The SI1032R-T1-GE3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI1032R-T1-GE3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 7.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1.0V (min), 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Qg):** 18nC (typ) at VDS = 15V, VGS = 10V  

### **Descriptions:**  
- The SI1032R-T1-GE3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling in a compact PowerPAK® SO-8 package.  
- Suitable for switching applications in DC-DC converters, motor control, and power supplies.  

### **Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current capability in a small footprint.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

N-Channel 1.5-V (G-S) MOSFET