P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI1031R is a Schottky diode manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Vishay**  

### **Part Number:**  
- **SI1031R**  

### **Type:**  
- **Schottky Diode**  

### **Key Specifications:**  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 1 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30 A  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 30 V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55 V (typical at 1 A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5 mA (maximum at VR = 30 V)  
- **Operating Junction Temperature Range (TJ):** -65 °C to +125 °C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65 °C to +150 °C  

### **Package:**  
- **SMA (DO-214AC)**  

### **Features:**  
- **Low forward voltage drop**  
- **High current capability**  
- **Fast switching speed**  
- **High reliability**  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI1031R Schottky diode.

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET