P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI1013X-T1-GE3 is a MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **Vishay**  

### **Part Number:**  
- **SI1013X-T1-GE3**  

### **Type:**  
- **N-Channel MOSFET**  

### **Package:**  
- **SOT-23**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.3A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.042Ω @ V_GS = 10V  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.052Ω @ V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.25W  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (Typical)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(ON))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_G)**  
- **AEC-Q101 Qualified (Automotive Grade)**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- **Power Management**  
- **DC-DC Converters**  
- **Load Switching**  
- **Battery Management**  
- **Automotive Systems**  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI1013X-T1-GE3.

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET