N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI1012X-T1-GE3 is a MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (VIS). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix (VIS)  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** SI1012X-T1-GE3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** SOT-23  
- **Voltage (VDS):** 20V  
- **Current (ID):** 3.7A (continuous)  
- **RDS(ON):** 50mΩ (max) @ VGS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 0.6V (min) - 1.5V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 1.25W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with low-voltage control signals.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  
- **RoHS Compliant:** Lead-free and environmentally friendly.  
- **Applications:** Power management, load switching, DC-DC converters, and battery protection circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET