Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The **SGW5N60RUFDTM** is a MOSFET manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (ON Semiconductor)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 5A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.5Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Gate Charge (Qg):** 16nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 560pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 45pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 6pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-voltage, high-speed switching** applications.  
- Suitable for **power supplies, motor control, and inverters**.  
- Low gate charge and **fast switching** performance.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High voltage capability** (600V).  
- **Improved dv/dt capability** for robustness.  
- **Avalanche energy specified** for reliability.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet. No additional recommendations or guidance are provided.

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The **SGW5N60RUFDTM** is a power MOSFET manufactured by **SEC (Samsung Electronics)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** SEC (Samsung Electronics)  
### **Part Number:** SGW5N60RUFDTM  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (typical)  
- **Package Type:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The SGW5N60RUFDTM is an N-channel MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is suitable for power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V drain-source voltage rating  
- **Low On-Resistance:** Optimized for efficient power handling  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode