IGBTs & DuoPacks The **SGW30N60HS** is a power semiconductor device manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600 V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 60 A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 30 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7 V (typical at I_C = 30 A)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-on Delay Time (t_d(on)): ~25 ns  
  - Turn-off Delay Time (t_d(off)): ~150 ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The **SGW30N60HS** is a high-speed **N-channel IGBT** designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for **low conduction and switching losses**, making it suitable for power conversion systems.  
- The device features a **fast recovery diode** for improved performance in inductive load applications.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **High-speed switching** capability for improved efficiency.  
- **Temperature-stable characteristics** for reliable operation.  
- **Built-in fast recovery diode** for enhanced performance in freewheeling applications.  
- **High ruggedness** against short-circuit conditions.  

This information is based on Infineon's technical documentation for the **SGW30N60HS** IGBT. For detailed application notes, refer to the official datasheet.

IGBTs & DuoPacks