Ultra-Fast IGBT The **SGW23N60UFD** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 430pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns  
- **Rise Time (t_r):** 25ns  
- **Fall Time (t_f):** 40ns  

### **Description:**  
The **SGW23N60UFD** is a **SuperFET® II MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and improved avalanche energy capability, making it suitable for power supplies, motor drives, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **SuperFET® II Technology** – Enhances efficiency and reduces conduction losses.  
- **Low R_DS(on)** – Minimizes power dissipation.  
- **Fast Switching Speed** – Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** – Ensures robustness in rugged environments.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant** – Environmentally friendly.  

The device is packaged in a **TO-247** form factor for high-power applications.  

(Note: All data is based on FAIRCHILD's official documentation.)

Ultra-Fast IGBT