IGBTs & DuoPacks The **SGW15N120** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200 V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 30 A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 15 A  
- **Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1 V (typical)  
- **Maximum Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_tot):** 160 W  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -40°C to +150°C  
- **Switching Frequency:** Up to 20 kHz  

### **Descriptions:**
- The **SGW15N120** is a **NPT (Non-Punch Through) trench IGBT**, optimized for high efficiency and ruggedness.  
- It is designed for **switching applications** such as motor drives, inverters, and power supplies.  
- The device features **low conduction and switching losses**, making it suitable for high-power applications.  

### **Features:**
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** capability for improved efficiency.  
- **High current capability** with a rugged design.  
- **Temperature-stable characteristics** for reliable operation.  
- **Built-in freewheeling diode** (if applicable in the package variant).  

This IGBT is commonly available in **TO-247** or similar power packages.  

(Note: Specifications may vary slightly based on datasheet revisions.)

IGBTs & DuoPacks