Discrete, High Performance IGBT with Diode The SGW13N60UFDTM is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor)  
- **Part Number:** SGW13N60UFDTM  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 13A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.45Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 65ns (typical)  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**
- The SGW13N60UFDTM is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Voltage Rating (600V):** Suitable for high-power applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces switching losses.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.

Discrete, High Performance IGBT with Diode