Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The SGW10N60RUFDTM is a MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor)  
- **Part Number:** SGW10N60RUFDTM  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 10A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Package:** TO-252-3 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The SGW10N60RUFDTM is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and other industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The SGW10N60RUFDTM is a power MOSFET manufactured by FAI (Fairchild Semiconductor International). Below are the factual details about the part:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAI (Fairchild Semiconductor International)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 10A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.65Ω (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Technology:** SuperFET® II (Low Qg, Low RDS(on))  

### **Descriptions & Features:**  
- **SuperFET® II MOSFET:** Designed for high efficiency and fast switching performance.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Reduces switching losses.  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Enhances conduction efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in high-voltage applications.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

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