COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS The **SGSD200** is a Schottky Rectifier Diode manufactured by **STMicroelectronics (ST)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** DPAK (TO-252)  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 2A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 50A (non-repetitive)  
- **Reverse Voltage (VR):** 200V  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.95V (typical at 2A)  
- **Maximum Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (at 200V)  
- **Junction Temperature (TJ):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature (TSTG):** -65°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency rectification in switching power supplies and DC-DC converters.  
- Low forward voltage drop reduces power losses.  
- Fast switching capability improves performance in high-frequency applications.  
- High thermal reliability due to the DPAK package.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to STMicroelectronics' official documentation.

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS