SGS23N60UFDTU

Discrete, High Performance IGBT with Diode The part **SGS23N60UFDTU** is manufactured by **N/A** (manufacturer not specified). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.095Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 450pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-power switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and industrial systems.  

This information is based solely on the provided knowledge base. For further details, consult the datasheet or manufacturer documentation.

Discrete, High Performance IGBT with Diode