Discrete, High Performance IGBT with Diode The SGS23N60UFDTU is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SGS23N60UFDTU  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C7  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 23A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.19Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3.5V (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The SGS23N60UFDTU is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power applications. It utilizes Infineon’s CoolMOS™ C7 technology, which provides low switching losses and high thermal performance. The device is suitable for use in power supplies, inverters, and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Efficiency:** CoolMOS™ C7 technology reduces power dissipation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Discrete, High Performance IGBT with Diode The part **SGS23N60UFDTU** is manufactured by **N/A** (manufacturer not specified). Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 23A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 92A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.095Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 450pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for high-power switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and industrial systems.  

This information is based solely on the provided knowledge base. For further details, consult the datasheet or manufacturer documentation.