SGS13N60UFDTU

Discrete, High Performance IGBT with Diode The SGS13N60UFDTU is a power MOSFET manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** FSC (Fairchild Semiconductor)  
### **Part Number:** SGS13N60UFDTU  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  

### **Description:**  
The SGS13N60UFDTU is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and low on-resistance, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **SuperFET® Technology** – Enhances switching efficiency and reduces conduction losses.  
- **Low R_DS(on)** – Minimizes power dissipation.  
- **Fast Switching Speed** – Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** – Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant** – Meets environmental standards.  

This information is based solely on the provided knowledge base.

Discrete, High Performance IGBT with Diode