Discrete, High Performance IGBT with Diode The part **SGS13N60UFDTU** is manufactured by **FAIRCHILD (ON Semiconductor)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage (VDS):** 600V  
- **Current (ID):** 13A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **RDS(ON):** 0.38Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (min) - 5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 130pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 15pF (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Lighting systems  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation.

Discrete, High Performance IGBT with Diode

Discrete, High Performance IGBT with Diode The SGS13N60UFDTU is a power MOSFET manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** FSC (Fairchild Semiconductor)  
### **Part Number:** SGS13N60UFDTU  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  

### **Description:**  
The SGS13N60UFDTU is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and low on-resistance, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **SuperFET® Technology** – Enhances switching efficiency and reduces conduction losses.  
- **Low R_DS(on)** – Minimizes power dissipation.  
- **Fast Switching Speed** – Improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** – Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant** – Meets environmental standards.  

This information is based solely on the provided knowledge base.

Discrete, High Performance IGBT with Diode