Discrete, IGBT The SGR20N40LTF is a power MOSFET manufactured by FAI (First Advanced International). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **FAI (First Advanced International)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 80A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.25Ω (typical)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3V (typical)  
- **Package:** TO-220F  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** Suitable for high-voltage switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operations.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces switching losses.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.  

This information is based strictly on the available data for the SGR20N40LTF from FAI.

Discrete, IGBT

Discrete, IGBT The SGR20N40LTF is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (FSC). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Fairchild Semiconductor (FSC)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 400V  
- **Current Rating (I_D):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Gate Charge (Qg):** 45nC (typical)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- Features low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 400V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Fully Insulated Package (TO-220F):** Provides electrical isolation for improved thermal performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Discrete, IGBT