Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The SGP5N60RUFDTU is a Power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** SGP5N60RUFDTU  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The SGP5N60RUFDTU is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the provided knowledge base. Let me know if you need further details.

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode