Discrete, High Performance IGBT with Diode The SGP23N60UFDTU is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** SGP23N60UFDTU  

### **Description:**  
The SGP23N60UFDTU is a N-channel 600 V CoolMOS™ power MOSFET designed for high-efficiency power conversion applications. It features ultra-low gate charge and optimized switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 23 A (continuous)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.19 Ω (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Low Gate Charge (Q_G):** 35 nC (typical)  
- **Fast Switching Performance**  
- **Low Effective Output Capacitance (C_oss(eff))**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **100% R_G and UIS Tested**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

### **Applications:**  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Power factor correction (PFC)  
- Motor drives  
- Lighting applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

Discrete, High Performance IGBT with Diode

Discrete, High Performance IGBT with Diode The part **SGP23N60UFDTU** is manufactured by **N/A**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 23A  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Configuration:** Single IGBT with Diode  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low saturation voltage (V_CE(sat)).  
- Fast switching speed.  
- Built-in freewheeling diode for improved performance in inductive load applications.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  

(Note: Manufacturer details are not specified.)

Discrete, High Performance IGBT with Diode