### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-voltage, high-speed switching** applications.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for improved efficiency.  
- **Fully insulated TO-220F package** for better thermal performance and safety.  
- Suitable for **power supplies, motor control, and inverters**.  

This information is based on SEC's official datasheet for the **SGP13N60UF** MOSFET.