IGBTs & DuoPacks The **SGP10N60A** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3–5 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SGP10N60A** is a **N-channel** power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is part of Infineon’s **CoolMOS™** family, optimized for efficiency in power supplies, inverters, and motor control systems.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (600 V)**  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Optimized for high-frequency switching**  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

The device is packaged in **TO-220**, a widely used through-hole package for power applications.  

(Note: All details are based on Infineon’s official datasheet.)

IGBTs & DuoPacks