Discrete, High Performance IGBT The SGM2N60UFTF is a power MOSFET manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FSC (Fairchild Semiconductor)  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **R_DS(ON) (Max):** 4.5Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The SGM2N60UFTF is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency.  
- Fast switching speed.  
- Low on-resistance (R_DS(ON)).  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- RoHS compliant.  

These are the verified details about the SGM2N60UFTF MOSFET from the manufacturer's datasheet.

Discrete, High Performance IGBT