Discrete, High Performance IGBT with Diode The part **SGH80N60UFDTU** is manufactured by **N/A**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 80A  
- **Package:** TO-247  
- **Configuration:** Single IGBT with Diode  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Suitable for motor drives, inverters, and power supplies.  
- Includes an anti-parallel diode for improved performance in inductive load applications.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage (V_CE(sat)).  
- High current handling capability.  
- Robust and reliable for industrial applications.  
- Fast switching for efficient power conversion.  

For detailed datasheet information, refer to the manufacturer's official documentation.

Discrete, High Performance IGBT with Diode

Discrete, High Performance IGBT with Diode The SGH80N60UFDTU is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 80A (at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 0.036Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 330W  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** CoolMOS™ (Superjunction MOSFET)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power conversion applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for high-power switching applications such as SMPS, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Low gate charge (Qg) and output capacitance (Coss).  
- **High Efficiency:** Low RDS(on) reduces conduction losses.  
- **Robustness:** Avalanche-rated and high thermal performance.  
- **CoolMOS™ Technology:** Enables high power density and reliability.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Discrete, High Performance IGBT with Diode