SGH80N60UFDTU

Discrete, High Performance IGBT with Diode The SGH80N60UFDTU is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 80A (at 25°C)  
- **RDS(on) (Max):** 0.036Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 330W  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** CoolMOS™ (Superjunction MOSFET)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power conversion applications.  
- Optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for high-power switching applications such as SMPS, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Low gate charge (Qg) and output capacitance (Coss).  
- **High Efficiency:** Low RDS(on) reduces conduction losses.  
- **Robustness:** Avalanche-rated and high thermal performance.  
- **CoolMOS™ Technology:** Enables high power density and reliability.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Discrete, High Performance IGBT with Diode