SGH80N60UF

Ultra-Fast IGBT The SGH80N60UF is a power MOSFET manufactured by SEC (Samsung Electronics). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 80A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 500W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max)  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Provides efficient power handling with reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor drives, inverters, and industrial systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Ultra-Fast IGBT