Discrete, High Performance IGBT with Diode The **SGH23N60UFDTU** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 23A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.19Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (Min), 5V (Max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** SuperFET® II (UltraFast Diode)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency power switching applications**.  
- Features **low conduction and switching losses**.  
- **UltraFast body diode** for improved performance in hard-switching circuits.  
- Suitable for **SMPS, motor control, and industrial applications**.  

### **Features:**  
- **SuperFET® II MOSFET** technology for enhanced performance.  
- **Low gate charge (Q_g)** for fast switching.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness.  
- **Pb-free and RoHS compliant**.  

This MOSFET is optimized for **high-voltage, high-speed switching** applications.  

(Note: FAIRCHILD was acquired by ON Semiconductor, so this part may now be under their branding.)

Discrete, High Performance IGBT with Diode

Discrete, High Performance IGBT with Diode The SGH23N60UFDTU is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** SGH23N60UFDTU  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 23A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.19Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 240W  
- **Package:** TO-247  

### **Description:**  
The SGH23N60UFDTU is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Super Junction Technology:** Enables low conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

Discrete, High Performance IGBT with Diode

Discrete, High Performance IGBT with Diode The part **SGH23N60UFDTU** is a power MOSFET with the following specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** N/A (Not specified in the provided knowledge base)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 23A  
- **Power Dissipation (PD):** 190W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.19Ω (max)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **Package Type:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- High-voltage, high-current N-channel MOSFET  
- Designed for power switching applications  
- Suitable for industrial and automotive applications  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High avalanche energy capability  
- Improved dv/dt robustness  

For further details, refer to the official datasheet if available.

Discrete, High Performance IGBT with Diode