Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The part **SGH15N60RUFDTU** is manufactured by **N/A**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low saturation voltage (V_CE(sat)).  
- Fast switching speed for improved performance.  
- High ruggedness and reliability in power circuits.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  

For detailed datasheets, consult the manufacturer's official documentation.

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The **SGH15N60RUFDTU** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 15A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5V (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** Super Junction (CoolMOS™)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power conversion applications.  
- Optimized for switching power supplies, motor drives, and inverters.  
- Features low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Low gate charge (Q_g) for improved efficiency.  
- **High Robustness:** Avalanche-rated for reliability in harsh conditions.  
- **Low R_DS(on):** Reduces conduction losses.  
- **CoolMOS™ Technology:** Enhances thermal performance.  

This information is strictly factual and sourced from the manufacturer's datasheet.

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode