Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The **SGH15N120RUFDTU** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** SGH15N120RUFDTU  
- **Type:** N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 30A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-voltage, high-speed switching** applications.  
- **Low conduction and switching losses** for improved efficiency.  
- **Robust and reliable** performance in power electronics applications.  
- Suitable for **motor drives, inverters, UPS systems, and industrial power supplies**.  
- **High input impedance** and **low drive power requirements**.  
- **Built-in fast recovery diode** for improved performance in inductive load applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode