Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode The **SGH10N60RUFDTU** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** SGH10N60RUFDTU  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.65Ω @ 10V, 5A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The SGH10N60RUFDTU is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage transients.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Discrete, Short Circuit Rated IGBT with Diode