Short Circuit Rated IGBT The **SGH10N120RUFD** is a power MOSFET manufactured by **FAIRCHILD** (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (ON Semiconductor)  
- **Part Number:** SGH10N120RUFD  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C):** 10A  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** Field Stop Trench IGBT  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at 10A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**
- **High Voltage Capability:** Designed for high-voltage applications up to 1200V.  
- **Low Saturation Voltage:** Provides efficient conduction with reduced power loss.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Robust Design:** Features a field-stop trench IGBT structure for improved performance.  
- **Temperature Stability:** Suitable for industrial and automotive applications with a wide operating temperature range.  
- **TO-247 Package:** Ensures good thermal performance and mechanical strength.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Short Circuit Rated IGBT