IGBTs & DuoPacks The **SGB15N60** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SGB15N60** is a **600V, 15A** N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of Infineon’s **Super Junction (CoolMOS™) technology**, offering low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Improved thermal resistance**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is commonly used in **switched-mode power supplies (SMPS), motor drives, inverters, and industrial applications**.  

(Note: Always refer to the latest datasheet from Infineon for precise and updated specifications.)

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