HIGH IP3, MEDIUM POWER DISCRETE SiGe TRANSISTOR Here are the factual details about part **SGA-9089Z** from manufacturer **SIRENZA** based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Frequency Range:** 800 MHz to 900 MHz  
- **Gain:** 13 dB  
- **Noise Figure:** 2.5 dB  
- **Output P1dB:** 23 dBm  
- **Supply Voltage:** +5V  
- **Current Consumption:** 120 mA  
- **Package Type:** Surface Mount  

### **Descriptions:**  
- The **SGA-9089Z** is a **low-noise amplifier (LNA)** designed for wireless communication applications.  
- It operates in the **800 MHz to 900 MHz** frequency band, making it suitable for cellular and ISM band applications.  
- The amplifier is housed in a **surface-mount package** for easy integration into RF circuits.  

### **Features:**  
- **High gain (13 dB)** for improved signal reception.  
- **Low noise figure (2.5 dB)** for enhanced sensitivity.  
- **High linearity (23 dBm P1dB)** for robust performance in dynamic signal environments.  
- **Single +5V supply operation** for simplified power management.  
- **Surface-mount design** for compact PCB integration.  

This information is strictly based on the available technical data for the **SGA-9089Z** from **SIRENZA**.

HIGH IP3, MEDIUM POWER DISCRETE SiGe TRANSISTOR

HIGH IP3, MEDIUM POWER DISCRETE SiGe TRANSISTOR The part **SGA-9089Z** is manufactured by **RFMD (RF Micro Devices)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Frequency Range:** 50 MHz to 4000 MHz  
- **Gain:** 20 dB (typical)  
- **Noise Figure:** 1.5 dB (typical)  
- **Output IP3 (OIP3):** 40 dBm (typical)  
- **P1dB (Output Power at 1dB Compression):** 24 dBm (typical)  
- **Supply Voltage (Vdd):** 5V  
- **Current Consumption:** 120 mA (typical)  
- **Package:** 4x4 mm QFN  

### **Descriptions:**  
- The **SGA-9089Z** is a high-linearity, low-noise amplifier (LNA) designed for broadband applications.  
- It is suitable for wireless infrastructure, cellular, and general-purpose RF amplification.  
- The device operates over a wide frequency range, making it versatile for various RF systems.  

### **Features:**  
- **High Linearity:** Excellent OIP3 performance for demanding applications.  
- **Low Noise Figure:** Optimized for receiver sensitivity.  
- **Broadband Operation:** Covers 50 MHz to 4 GHz.  
- **Single 5V Supply:** Simplifies power management.  
- **Integrated Matching:** Reduces external component count.  
- **RoHS Compliant:** Lead-free and environmentally friendly.  

For detailed application notes or additional performance curves, refer to the official **RFMD datasheet**.

HIGH IP3, MEDIUM POWER DISCRETE SiGe TRANSISTOR