Reflective sensor combines a GaAs IRED with a high-sensitivity phototransistor The part **SG107F3** is manufactured by **KODENSHI**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Phototransistor  
- **Package:** SMD (Surface Mount Device)  
- **Wavelength Sensitivity:** Near-infrared (NIR) range  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Storage Temperature Range:** -40°C to +100°C  
- **Forward Current (If):** Typically 50mA  
- **Reverse Voltage (Vr):** 5V  

### **Descriptions:**  
- The **SG107F3** is a high-sensitivity phototransistor designed for detecting infrared light.  
- It is commonly used in proximity sensors, optical encoders, and light barrier applications.  
- The SMD package ensures compact and efficient PCB integration.  

### **Features:**  
- **High Sensitivity:** Optimized for infrared detection.  
- **Fast Response Time:** Suitable for dynamic sensing applications.  
- **Compact Size:** Ideal for space-constrained designs.  
- **Reliable Performance:** Stable operation across a wide temperature range.  

For detailed electrical characteristics and mechanical dimensions, refer to the official **KODENSHI datasheet**.

Reflective sensor combines a GaAs IRED with a high-sensitivity phototransistor