60V P-Channel A-FET / Substitute of IRFW9Z34 Ic-phoenix technical data files does not contain specific information about the part **SFW9Z34TM** manufactured by **仙童 (Fairchild)**. For accurate details on its specifications, descriptions, and features, please refer to the official datasheet or product documentation from Fairchild Semiconductor.

60V P-Channel A-FET / Substitute of IRFW9Z34

60V P-Channel A-FET / Substitute of IRFW9Z34 The part **SFW9Z34TM** is manufactured by **Fairchild Semiconductor**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** SFW9Z34TM  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Configuration:** Single  
- **Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):** 40V  
- **Current - Average Rectified (Io):** 9A  
- **Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:** 0.5V @ 9A  
- **Reverse Recovery Time (trr):** Typically fast (Schottky diodes have minimal reverse recovery time)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package / Case:** TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  

### **Descriptions:**  
- The **SFW9Z34TM** is a **Schottky Barrier Rectifier Diode** designed for high-efficiency power applications.  
- It is optimized for **low forward voltage drop** and **high current capability**, making it suitable for switching power supplies, converters, and reverse polarity protection.  

### **Features:**  
- **Low forward voltage drop** for reduced power loss.  
- **High current capability** (9A average rectified current).  
- **Fast switching** due to Schottky barrier construction.  
- **High thermal efficiency** with a surface-mount DPAK package.  
- **Guard-ring protected** for improved reliability.  

For exact performance curves and detailed application notes, refer to Fairchild Semiconductor’s official datasheet.

60V P-Channel A-FET / Substitute of IRFW9Z34