Advanced Power MOSFET The part **SFW2955** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** PNP Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -10A  
- **Base Current (I_B):** -5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 20-70  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature (T_STG):** -65°C to +150°C  

### **Description:**
- The **SFW2955** is a high-power PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a **TO-247** package for efficient heat dissipation.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and audio amplifiers.  

### **Features:**
- High current capability (-10A collector current).  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High power dissipation (75W).  
- Complementary NPN pair available (e.g., **SFW3055**).  
- Robust construction for reliable performance in demanding applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Advanced Power MOSFET