### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Avalanche energy rated**  
- **TO-247 package**  
- **RoHS compliant**  

(Note: Specifications may vary slightly based on datasheet revisions.)