NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor The SFH3400 is an infrared (IR) emitter manufactured by OSRAM. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Wavelength (Peak):** 850 nm  
- **Radiant Intensity (Typical):** 35 mW/sr at 100 mA  
- **Forward Current (Continuous):** 100 mA  
- **Forward Voltage (Typical):** 1.35 V at 100 mA  
- **Viewing Angle (Half Angle):** ± 22°  
- **Package Type:** 3 mm (T-1) clear epoxy package  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +110°C  
- **Storage Temperature Range:** -40°C to +100°C  

### **Descriptions:**  
- The SFH3400 is a high-power infrared emitter designed for applications requiring high radiant intensity.  
- It emits light in the near-infrared spectrum (850 nm), making it suitable for night vision, surveillance, and optical sensing.  
- The clear epoxy package ensures high reliability and efficient light output.  

### **Features:**  
- High radiant intensity for improved performance in IR applications.  
- Narrow viewing angle (±22°) for directed illumination.  
- Low forward voltage for energy efficiency.  
- Compatible with automated placement processes.  
- RoHS compliant.  

For exact performance characteristics, always refer to the official OSRAM datasheet.

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor