NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLEDa-Package The SFH320FA-4 is an infrared (IR) emitter manufactured by OSRAM. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Infrared Emitter (IRED)  
- **Wavelength:** 850 nm (typical)  
- **Radiant Intensity:** 40 mW/sr (typical at 100 mA)  
- **Forward Current (If):** 100 mA (max)  
- **Forward Voltage (Vf):** 1.35 V (typical at 100 mA)  
- **Viewing Angle:** ± 60°  
- **Package:** 3 mm (T-1) clear plastic package  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +110°C  
- **Storage Temperature Range:** -40°C to +110°C  

### **Descriptions:**  
- The SFH320FA-4 is a high-efficiency infrared emitter designed for applications requiring high radiant intensity.  
- It operates at a peak wavelength of 850 nm, making it suitable for IR illumination in cameras, sensors, and other optoelectronic systems.  
- The device is housed in a clear 3 mm plastic package, ensuring compatibility with standard assembly processes.  

### **Features:**  
- High radiant intensity for improved performance in IR applications.  
- Wide viewing angle (±60°) for broad emission coverage.  
- Low forward voltage for energy-efficient operation.  
- Robust plastic package with reliable performance across a wide temperature range.  

This information is based solely on the manufacturer's provided data for the SFH320FA-4.

NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLEDa-Package