Mini-Silicon NPN Phototransistor The SFH305 is an infrared (IR) emitting diode manufactured by OSRAM. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** Infrared Emitting Diode (IRED)  
- **Wavelength:** 850 nm (typical)  
- **Forward Current (If):** 50 mA (maximum)  
- **Forward Voltage (Vf):** 1.35 V (typical at 20 mA)  
- **Radiant Intensity (Ie):** 20 mW/sr (typical at 50 mA)  
- **Viewing Angle (2θ½):** ±20°  
- **Power Dissipation (Pd):** 120 mW  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Storage Temperature Range:** -40°C to +100°C  

### **Descriptions:**
- The SFH305 is a high-efficiency GaAlAs infrared emitter designed for applications requiring high radiant intensity.  
- It is commonly used in IR remote controls, optical sensors, and proximity sensing.  
- The diode emits light in the near-infrared spectrum, making it suitable for night vision and surveillance applications.  

### **Features:**
- High radiant intensity  
- Low forward voltage  
- Reliable GaAlAs chip technology  
- Compact and robust package  
- RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Mini-Silicon NPN Phototransistor