SFH302-3

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor The SFH302-3 is an infrared emitter diode manufactured by OSRAM. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Wavelength:** 850 nm (typical)  
- **Forward Current (If):** 100 mA (max)  
- **Forward Voltage (Vf):** 1.5 V (typical at 100 mA)  
- **Radiant Intensity:** 35 mW/sr (typical at 100 mA)  
- **Viewing Angle (2θ½):** ±20°  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +100°C  
- **Package Type:** 3 mm clear plastic package  
- **Lead Material:** Tin-plated  

### **Descriptions:**  
- The SFH302-3 is a high-power infrared emitter designed for applications requiring strong IR radiation.  
- It emits light at a peak wavelength of 850 nm, making it suitable for night vision, surveillance, and optical sensors.  
- The device is housed in a compact 3 mm package with a clear lens for optimal light transmission.  

### **Features:**  
- High radiant intensity for improved signal transmission.  
- Narrow viewing angle (±20°) for directed illumination.  
- Low forward voltage for energy efficiency.  
- Reliable performance across a wide temperature range.  
- Compatible with automated assembly processes due to its standard package.  

This information is strictly based on the manufacturer's provided data for the SFH302-3.

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor