Trench IGBT Modules The SEMIX653GB176HDS is a power module manufactured by **SEMIKRON**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Manufacturer:** SEMIKRON  
### **Part Number:** SEMIX653GB176HDS  

#### **Specifications:**  
- **Module Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) power module  
- **Voltage Rating:** 650 V  
- **Current Rating:** 176 A  
- **Configuration:** Dual IGBT with antiparallel diode (half-bridge topology)  
- **Package Type:** SEMIX™ 3 (optimized for high power density and thermal performance)  
- **Isolation Voltage:** Typically rated for reinforced isolation (exact value depends on SEMIKRON's datasheet)  
- **Thermal Resistance (Rth(j-c)):** Low thermal resistance for improved heat dissipation  
- **Switching Frequency:** Suitable for medium to high-frequency applications (exact range specified in datasheet)  

#### **Descriptions & Features:**  
- Designed for industrial and automotive applications requiring high power density.  
- Features low conduction and switching losses for improved efficiency.  
- SEMIX™ 3 package ensures mechanical robustness and optimized thermal performance.  
- Includes built-in NTC (Negative Temperature Coefficient) thermistor for temperature monitoring.  
- Suitable for inverters, motor drives, and power conversion systems.  
- RoHS compliant and designed for high reliability in harsh environments.  

For exact electrical characteristics, thermal data, and application notes, refer to SEMIKRON's official datasheet for the **SEMIX653GB176HDS**.