**Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40-250  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications.  
- Available in TO-92 package.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheets for exact specifications as variations may exist.)