SDT08S60

Silicon Carbide Schottky Diodes The SDT08S60 is a Schottky diode manufactured by Infineon. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Type:** Schottky Diode  
- **Voltage Rating (VRRM):** 60 V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 8 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 150 A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 0.55 V (typical at 8 A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 1 mA (maximum at 60 V)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The SDT08S60 is a high-efficiency Schottky diode designed for power rectification applications.  
- It is optimized for low forward voltage drop and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Surge Current Capability:** Suitable for demanding applications.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses in high-frequency circuits.  
- **High Temperature Operation:** Reliable performance in a wide temperature range.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to Infineon’s official documentation.

Silicon Carbide Schottky Diodes