### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage (VDS):** -30V  
- **Current (ID):** -5.7A  
- **RDS(ON):** 40mΩ @ VGS = -10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** -1V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions & Features:**  
- Low on-resistance for efficient power management.  
- Designed for high-performance switching applications.  
- Suitable for battery protection, load switching, and power management.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

For detailed datasheet information, refer to the official DIODES documentation.