SDB55N03L

N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor The SDB55N03L is a power MOSFET manufactured by SAMHOP. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The SDB55N03L is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current capability (55A continuous)  
- Fast switching performance  
- Enhanced thermal characteristics  
- RoHS compliant  
- TO-252 (DPAK) package  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor