SiC Schottky Barrier Diodes The SCS108AG is a P-channel MOSFET manufactured by ROHM Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** P-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -4.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Package:** SOP-8  

### **Descriptions:**
- The SCS108AG is a low on-resistance P-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is suitable for use in load switches, power management circuits, and battery protection systems.  

### **Features:**
- Low on-resistance for reduced power loss.  
- Fast switching performance.  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs.  
- Suitable for automotive and industrial applications.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to ROHM’s official datasheet.

SiC Schottky Barrier Diodes