### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- General-purpose NPN transistor suitable for switching and amplification applications.  
- High current gain and fast switching speed.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- Commonly used in signal amplification, driver circuits, and low-power switching.  

For exact datasheet details, refer to **AUK's official documentation**.