PNP Silicon Transistor The part **SBT2907A** is manufactured by **AUK**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = -150mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
The **SBT2907A** is a PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is suitable for low-power circuits and offers high current gain with moderate speed performance.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Compact SOT-23 package for space-saving designs  
- Suitable for switching and amplification in electronic circuits  

For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.