### **Specifications:**  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 40V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 600mA  
- **Power Dissipation (Pd):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 - 300  
- **Transition Frequency (ft):** 250MHz  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- A small-signal NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for low-power circuits in consumer electronics, audio amplifiers, and signal processing.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- RoHS compliant.  

Let me know if you need further details.